继此前双方的54亿美元并购案失败之后，当地时间9月5日，英特尔代工服务 (IFS)部门和领先的模拟半导体解决方案代工厂Tower Semiconductor（高塔半导体）宣布达成一项新的协议，英特尔将提供代工服务和 300mm 制造能力可帮助高塔半导体为全球客户提供服务。
根据协议，高塔半导体将利用英特尔位于新墨西哥州的先进制造工厂。同时，高塔半导体将投资高达 3 亿美元购买和拥有将安装在新墨西哥州工厂的设备和其他固定资产，为高塔半导体的未来增长提供每月超过60万个曝光层的新产能，从而使产能能够支持预测的客户需求300mm先进模拟处理需求。
双方表示，该协议体现了英特尔和高塔半导体致力于通过无与伦比的解决方案和扩展能力扩大各自代工业务的承诺。英特尔将在新墨西哥州里奥兰乔的英特尔 Fab 11X 工厂生产高塔半导体高度差异化的 65 纳米电源管理 BCD（双极-CMOS-DMOS）流程以及其他流程。
英特尔高级副总裁兼英特尔代工服务总经理斯图尔特·潘恩 (Stuart Pann) 表示：“我们推出英特尔代工服务的长远目标是提供全球首个开放式系统代工厂，将安全、可持续和弹性的供应链与英特尔和我们生态系统的最佳成果。我们很高兴 Tower 看到了我们提供的独特价值，并选择我们来开放他们的 300 毫米美国产能走廊。”
Tower 首席执行官 Russell Ellwanger 表示：“我们很高兴继续与英特尔合作。展望未来，我们的主要重点是通过大规模制造领先的技术解决方案来扩大我们的客户合作伙伴关系。与英特尔的合作使我们能够满足客户的需求路线图，特别关注先进的电源管理和射频绝缘体硅 (RF SOI) 解决方案，并计划于 2024 年进行完整的工艺流程认证。我们认为这是第一步与英特尔共同打造多种独特的协同解决方案。”
该协议展示了IFS 如何帮助客户进入英特尔全球工厂网络（包括美国、欧洲、以色列和亚洲）的制造能力走廊。除了在俄勒冈州的现有投资和计划在俄亥俄州的投资外，英特尔 40 多年来一直在美国西南部地区进行投资和创新，在亚利桑那州和新墨西哥州设有工厂。英特尔此前宣布投资 35 亿美元，扩大在新墨西哥州的业务，并装备其创新中心之一的里约兰乔园区，用于制造先进的半导体封装。
对于高塔半导体来说，这是其扩大规模的下一步，通过行业领先的 65nm BCD 功率和 RF SOI 技术在市场上的广泛采用，为不断扩大的 300mm 技术客户群提供服务。具体来说，高塔半导体的 65nm BCD 技术通过其一流的 Rdson 品质因数为客户提供了更高的功率效率、芯片尺寸和芯片成本。同样，Tower 的 65nm RF SOI 技术可帮助客户降低手机电池消耗，同时通过其一流的 RonCoff 品质因数改善无线连接。该协议带来的规模扩大将使 Tower 不仅能够利用现有技术提供更大的机会，而且还能加强与行业领先客户的合作伙伴关系，这将有助于制定强大的下一代技术路线图。
英特尔称，IFS 是英特尔 IDM 2.0 战略的重要支柱，今天的宣布标志着英特尔在多年转型中又向前迈出了一步，旨在重新获得并加强技术领先地位、制造规模和长期增长。IFS 在过去一年中取得了重大进展，2023 年第二季度收入同比增长超过 300% 就证明了这一点。近期，英特尔还与 Synopsys 达成协议，开发基于 IFS 的知识产权组合，这一动作反应了Intel 3 和 Intel 18A 制程节点的进展。英特尔还获得了美国国防部的快速保证微电子原型 - 商业 (RAMP-C) 计划，有五个 RAMP-C 客户参与了Intel 18A 的设计。
编辑：芯智讯-林子
