ABB CI871K01 制造过程中至关重要的光学过程
掺杂和离子注入是制造过程中的关键步骤，因为它们允许在器件内创建 n 型和 p 型半导体区域。掺杂涉及将杂质或掺杂剂引入半导体材料中，这会显着改变其电气特性。这些杂质包括引入的三价或五价杂质。注入扩散层、加热半导体材料和离子注入是引入掺杂原子的常用方法。离子注入是最常见的掺杂技术，涉及用离子束轰击晶圆。此外，这些离子嵌入半导体材料中，形成所需的 n 型或 p 型区域。
金属化是将金属层沉积到晶圆表面的过程，它用作设备各个组件之间的电气连接。在创建 p 型或 n 型区域后，金属化过程可确保通过内部电路之间的导体实现电气连接。这些金属层可以使用多种技术沉积，例如溅射或 CVD。然后对金属层进行图案化和蚀刻以形成所需的互连结构。
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