ABB TP830 高度复杂和专业化的步骤系列
晶体生长是生产大型、高质量半导体晶体的过程，它是晶圆生产的起始材料。对于硅基器件，最常见的晶体生长方法是直拉法，即在坩埚中熔化高纯度硅，然后将其冷却至接近冰点的温度。然后，该过程允许使用旋转籽晶从熔体中拉出单晶。该方法生产的单晶锭具有均匀的晶体结构和优异的电性能。
其他晶体生长方法包括 Bridgman-Stockbarger 方法，该方法涉及在受控环境中缓慢冷却熔融半导体材料。Float Zone 方法是另一种特别适用于生产极高纯度硅晶体的方法。
4.2. 晶圆切片
半导体晶体生长完成后，便会使用称为晶圆切片或晶圆切割的工艺将其切成薄晶圆。根据晶圆尺寸，切片过程涉及线或刀片。这通常是使用线锯完成的，线锯将晶锭切割成厚度均匀的晶片，通常从几百微米到超过一毫米不等。然后仔细检查晶圆以确保它们没有缺陷并符合要求的规格。
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