ABB SA811F 高度复杂和专业化的步骤系列
蚀刻和沉积是两个基本工艺，可以创建构成半导体器件的各种层和结构。蚀刻涉及通过湿化学工艺或干等离子体工艺从晶圆上选择性去除材料。这允许创建复杂的三维结构，例如晶体管和互连。
另一方面，沉积是在晶圆表面添加薄层材料的过程。有多种沉积技术，例如化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD)，可用于沉积多种材料，包括金属、绝缘体和半导体。
3.4. 掺杂和离子注入
掺杂和离子注入是制造过程中的关键步骤，因为它们允许在器件内创建 n 型和 p 型半导体区域。掺杂涉及将杂质或掺杂剂引入半导体材料中，这会显着改变其电气特性。这些杂质包括引入的三价或五价杂质。注入扩散层、加热半导体材料和离子注入是引入掺杂原子的常用方法。离子注入是最常见的掺杂技术，涉及用离子束轰击晶圆。此外，这些离子嵌入半导体材料中，形成所需的 n 型或 p 型区域。
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