本文介绍了非同步Boost和同步Boost拓扑下的大电流路径。
非同步DC-DC利用外部肖特基二极管调节电压，同步DC-DC用MOSFET代替肖特基二极管。
两条电流路径重叠的部分（即电感、输入电容）不属于关键路径，因为它的dI/dt比较小，不必过多关心它的布线，但需要考虑电感产生的电磁场对附近敏感走线的影响，因此最好使用屏蔽电感，或者是让电感远离IC和反馈走线。
非重叠的部分均属于关键路径，比如输出电容COUT、开关管、二极管或MOSFET，因为在开关切换时，关键路径上会有很高的dI/dt，它们的布线应该宽而短。
输出电容COUT应和二极管一样靠近电源芯片，并并联一个陶瓷电容（前提是它不会引起环路不稳定）。
