存储器
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存储器
3.2.2、存储单元（地址译码）
3.2.3、存储器（芯片封装）
3.3、主存储器扩展
3.4、主存储器与CPU的连接！！！
3.4.2、主存读写周期与CPU的配合
3.5、主存储器的刷新
3.6、主存储器的性能提高
高速缓冲存储器（Cache）
4.1、地址映象
内存：在计算机中，存储正在运行的（部分）程序和数据的部件。
通过地址总线、数据总线、控制总线与CPU等其他部件相连
内存功能：存放程序和数据部件，并满足在计算机执行的过程中，能够随机访问这些程序和数据
①存（存放）
②取（访问）
存储器基本结构：
存储体
地址寄存器
地址译码器
数据缓冲寄存器
读写控制线路
先送地址后读写数据
- 存储器的分类
一个触发器能存储一位二进制代码。
一个触发器电路称为一个存储元（存储位），是存储器中的最小单位。
随机读写存储器(RAM)：在程序执行过程中可读可写。
静态的和动态的ram
SRAM 静态 作为cache
DRAM 动态 做内存 (因为需要刷新）
只读存储器(ROM)：在程序执行过程中只读。
- 存储器的层次结构（三级存储系统）
定义： 由高速缓冲存储器（Cache）、主存储器（内存）、辅助存储器（外存)组成三级结构的存储器，由系统统一调度、统一管理。
围绕主存储器（内存）来组织和运行的。
三个要点： 速度 容量 费用
离CPU越近的速度越快，越远容量越大
多级存储系统可以实现的前提: 程序运行时的局部性。
CPU不能直接访问辅助存储器（外存），程序与数据从辅助存储器调入内存后，
再从内存调入CACHE， CPU访问CACHE，读写程序和数据。
- 主存储器（内存 Main memory）
SRAM存储器： 存取速度快、集成度低、位平均功耗高，小容量主存。
DRAM存储器： 存取速度慢、集成度高、位平均功耗低，大容量主存。（定时通电刷新）
主存储器的性能指标：存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽。
3.2.2、存储单元（地址译码）
通过地址译码寻找存储单元，需要有译码器
地址译码器：把地址信号翻译成，对应存储单元的选择信号。
分为单译码器。双译码器。
双译码比单译码使用的选择线少，可以可以减少芯片的引脚
3.2.3、存储器（芯片封装）
要会画芯片的封装，
包括： 地址线，数据线（i/o），读写信号线(WE)，片选信号线（CS)
3.3、主存储器扩展
内存条是由多个存储芯片扩展而成。
扩展后需要选芯片
扩展方法选择标准： 片选信号越少越好
3.3.1、位扩展（数据线扩充）
3.3.2、字扩展（地址线扩充）
3.3.3、位字扩展（先位后字）
3.4、主存储器与CPU的连接！！！
38译码器的输出端和片选信号怎么连
3.4.2、主存读写周期与CPU的配合
在读过程中，地址信号不能变
在写过程中，地址信号、数据信号都不能变
3.5、主存储器的刷新
DRAM 所有存储单元都被刷新一次的时间是刷新周期
整个主存中，各芯片可同时刷新，芯片内逐行刷新，每次刷新一行
几种刷新方式： 集中 分散 异步
DRAM 所有存储单元都被刷新一次的时间是刷新周期（一般为2ms）
2ms指的是刷新周期
1）集中式刷新
在2ms内按存储容量集中安排刷新时间（刷新期间停止读/写操作）
2）分散式刷新
把存取周期分成两部分。一半读写一半刷新，一个周期刷一行。
（如果CPU存取周期是主存存取周期的二倍，使用此方法好）
3）异步式刷新
在2ms内，分散式地对128行逐行刷新一遍，每一行平均刷新的时间
间隔为 2ms / 128 = 15.625us，即每隔15.6us提出一次刷新请求。
这样，每行之间的刷新间隔仍为2ms。
相对于分散式刷新，它减少了刷新次数；
相对于集中式刷新，它的主机“死区”缩短了很多
3.6、主存储器的性能提高
- 高速缓冲存储器（Cache）
为了弥补主存速度的不足
系统效率 = （Cache存取时间 / 平均存取时间）
Cache 的全部功能都是由硬件完成的，(硬件完成功能：内存地址 转 Cache地址)
先有内存的地址，然后再有cache的地址
4.1、地址映象
Cache与主存中存储单元地址映象关系
映象：其物理意义就是位置的对应关系，将主存地址变成Cache地址。
1）直接映象
直接映象方式是多对一映射。
主存中的一块只能映象到Cache某一个固定的块中。
特点：Cache的利用率不高
2）全相联映象
主存中任一块都可以映象到Cache中任一块上。
必须采用相联存储器
内存地址如何换成cache地址 4-04
4.2、替换算法
当未命中而将新的主存块调入Cache中，而它的位置已被占满，就会产生替换问题。
替换算法目的：获得最高命中率
- 先进先出算法 FIFO
- 最近最少使用算法 LRU
平均命中率 2）》1）
LRU替换算法反映了程序的局部性特点
