9月8日消息，日本半导体材料大厂昭和电工（Showa Denko KK）昨日宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸（200mm）SiC 外延晶圆（Epitaxial Wafer）已开始进行样品出货，成为日本首家送样8英寸SiC外延晶圆的厂商。
据介绍，昭和电工出样的8英寸SiC外延晶圆采用的是昭和电工自制的SiC单晶晶圆。
昭和电工指出，和原先使用硅晶圆的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动车（EV）、再生能源领域的需求急增，而SiC外延晶圆则是决定SiC功率半导体性能的关键材料。目前SiC功率半导体主要使用6英寸（150mm）SiC外延晶圆进行生产，而随着SiC磊晶晶圆大尺寸化、每片晶圆所能获取的晶片数将变多，有助于提高生产效率、降低成本。
昭和电工表示，该公司已经是全球最大SiC外延晶圆外售厂商。
据悉，昭和电工目前已和东芝子公司“东芝电子元件及储存装置（ToshibaElectronic Devices & Storage）”、罗姆半导体（Rohm）等多家厂商签订SiC外延晶圆的长期供应契约。
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编辑：芯智讯-浪客剑
