Snubber电路：也称吸收电路（图中红色部分）
作用：通过吸收phase的尖峰，来保护下边MOS管。改善EMI。
坏处是phase点电压要等于输入电压需要更多的能量，所以在每次开关时都要消耗 更多的能量，这样会降低电源转换效率。
（备注：下边MOS管加两个的原因是降低Rds（on），还有减小电压尖峰（正、负）对L-MOS管的损伤，同时还起到备用的作用。
负压尖峰跟正压尖峰是由于寄生电感跟mos管的body diode的续流作用引起的。
而振铃也是由于寄生参数引起的，不可避免。
Snubber电容：一般取值为3000pF。如果phase的峰值还是偏高，可以通过适当增大电容的值。
Snubber电阻：取得大了会是功能丧失。一般取值为2.2ohm。
放置位置：放在L-MOS的S极与D极之间，保证路径最短。
可以看到，UGATE的供电是由BOOT端提供的，而LGATE端的供电是由VDD提供的，因此你的图中可以看到，LGATE电压与输入PWM电压一致，而UGATE的电压却远高于VDD。这说明BOOT端电压高于VDD电压。
图中的蓝色部分是反馈，RFB1 需要放置在负载最重点
图中的绿色部分是补偿电路，下次再讲。
