上图黄色部分电容即为boot电容，红色部分的介绍可以看历史素材的snubber电路。
Boot电容是chargepump升压的充电电容，因为高边MOS要导通，g极电压需要高过s极（导通时即输入电压Vin）， 所以这里需要这个升压电路。
Lo电感用于在开关切换时存储和释放能量，起到续流的作用，如果只移除Lo，Vout输出为0V，则在反馈端VSENSE始终为低电平，电路的上管会一直导通，PH输出一直高电平（接近Vin电压）。
Boot电容用以给上管提供开启电压。 由于开启MOS需要给栅极快速充电使其电压超过阈值， 根据公式I=C*dV/dt（I=dq/dt）可知，假设开启电压5V， 开启时间10nS，开启时栅极所需电荷2nC， 则I=200mA。而内部的LDO无法提供这么大的电流，所以需要增加BOOT电容。如果移除Boot电容，栅极电压处可能会出现震荡波形，从而引起MOS管的损坏。
所以在进行电源debug时，不要移除BOOT电容和电感。
Selecting The Bootstrap Capacitor
The selection of the bootstrap capacitor is written as
Equation 26:
CBOOT=Qg/ΔVBOOT
Where:
- Qg is the total gate charge required to turn on the high-side MOSFET
- ΔVBOOT, is the maximum allowed voltage decay across the boot capacitor each time the high-side MOSFET is switched on
As an example, suppose the high-side MOSFET has a total gate charge Qg, of 25nC at VGS = 5V, and a ΔVBOOT of 200mV. The calculated bootstrap capacitance is 0.125μF; for a comfortable margin, select a capacitor that is double the calculated capacitance. In this example, 0.22μF will suffice.
Use an X7R or X5R ceramic capacitor.
