LDO：low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。
直接进入主题：
突出优点：具有最低的成本，最低的噪声和最低的静态电流。外围器件很少，最低可为一两个旁路电容。负载响应快。
缺点：效率低，导致发热（必须考虑发热问题）。输出电流小，一般的是1A以下，也有高达5A的。
注意：电流越大，意味着损耗功率越大。
A：是否为噪声敏感器件
一般如内核的电源，音频，模拟IC等，对噪声要求比较高，这类IC需要优先考虑使用LDO。
B：负载的最大电流
查找IC的资料，确定下来IC的最大电流，如若IC的最大电流为2A以内，那么选用LDO基本是没有问题了。
C:可接受的封装大小
SOT-223, TO-252 and SO-8
还有下图：
一般的话，LDO的尺寸都是不大的，可满足大部分线路板的要求。其次这点应该结合最后一点散热问题考虑。
D：输入电压跟输出电压以及dropout voltage
输出电压确定是多少？输入电压可能为多少？IC的最小dropout voltage为多少？
首先输出电压是确定的，输出电压应该满足在5V~1.2V之间，注意：不同IC的输出电压范围不同，这点需要根据实际情况查看。
其次是找IC的最小Vdrop,一般要求大于等于1.5V，注意：这个Vdrop=Vin-Vout。它会影响我们的转换效率，一般输入电压—输出电压稍微大于1.5V即可，太大不行，当然也要考虑前端的供电稳定性。
例如输出要求1.8V，我们一般选个3.3V的，如果这时候3.3V的稳定性不能满足，就选5V的，但是5V又偏大，会造成大的功率损耗，这时候可以如下图一样，输入电压加个肖特基二极管（压降一般为0.7V），便把5V稍微降到4.3V左右。如果通过Pd=UI来算，这个降低功耗还是蛮可观的，当然3.3V换用5V也要把时序考虑进去，这点便不多说。
E：散热情况跟成本初步考量
前言：
由于LDO的输入电压和输出电压之间存在一个压差，当输出一定的负载电流时，会在LDO上消耗Power=UI的功率。这会影响LDO的效率，如果这个功率很大，还会导致LDO上的功率传输管发热，需要使用体积庞大的散热片，这样不利于LDO应用在便携式电子设备中。如果能尽量减小这个压差，这样LDO不但能起到稳压的作用，还能有较高的效率，在输出较大负载电流时也不会发热。
举例：AMS1117
LDO芯片晶元结温计算公式为：Tj=Ta (Pd*θja)
其中Tj：晶元结温，Ta：环境温度，θja：芯片热阻。
假设Pd为0.84W，这里按工业产品最高工作85℃。根据芯片功耗及热阻，计算在最高温度时芯片晶元结温：
AMS1117：Tj=85℃ (0.84W*55℃/W)=136℃，超过最大工作结温（125℃）11℃。
注意：这里只是粗略计算，一般算出来小于最大结温10度便是安全的。
