穩懋持續投資在微波與光電元件的設計與開發，發展所需的整合製造技術、先 進磊晶技術與晶圓級別的高端測試服務。以提供客戶從設計、製造及檢測的服務並 快速的商品化其產品。一條線的服務和純晶圓代工的模式，也從原本單一的砷化鎵 微波元件代工擴展成多元化合物半導體材料在微波與光學元件上。
穩懋具有核心關鍵技術的自主開發能力與人才，為了持續提升產業競爭力，進 行相關的技術深耕與多元的發展如下：
(1) 不斷開發新一代 HBT 元件技術，著力於 5G 通訊系統所需之新頻段，尤其 在更高頻段以及更高輸出功率之功率放大器需求，以符合未來 5G 行動裝置 超高速傳輸速率要求。
(2) 因應高集成度功率放大器模組的需求，功率放大器與雙工器整合模組 (PAMiD)為日後趨勢。穩懋除了提供先進功率放大器之代工技術，也將致力 提供濾波器與雙工器之代工技術，以滿足未來高集成化模組的需求。
(3) 發展先進製程技術以提供微波通訊所需的微型基地台(Femtocell)與大型基地 台(Base Station) 使用的高功率 GaN HEMT。
(4) 針對通訊基礎建設，開發更有競爭力的先進深次微米(<100 nm)GaAs pHEMT，以符合頻率日漸提高的點對點毫米波(E/W/D-band)通訊所需。
(5) 對於高速成長的大數據所倚賴的下世代 400/800 Gbps 高速光纖通訊，開發更 有競爭力的先進深次微米(<100 nm)GaAs pHEMT 在光調變器的驅動放大器 應用。
(6) 持續研發新一代高度整合的 GaAs PINHEMT 以符合未來 Ku/Ka-band 衛星通 訊與行動通訊基礎建設的需求。
(7) 建立上游材料磊晶片的開發及製造能力，提升品質掌握度與配合新技術開發 之時效性，滿足新產品開發週期和生命週期縮短之趨勢。
(8) 針對未來 5G 產品應用需求，持續發展先進製程技術，以及封裝解決方案。
(9) 提供客製化的高頻封裝產品測試，幫助客戶在廠內(in house)完成其產品的終 端測試，縮短客戶晶片的出貨生產時程。
(10) 持續開發光纖通訊的關鍵零組件 ( 10G/25G DFB LD，25G/56G VCSEL， 25G APD 及矽光子高功率光源)。
(11) 持續往高階光通的高速 25G DFB LD 及 50G APD 和以磷化銦(InP)為基材的 光調變器及光子積體電路單元耕耘。
(12) 拓展車用光達的三大產品技術：VCSEL、GaAs LD、InP LD 及 PD。
上文节选自Win Foundry 2020年报。
上文节选自2021.4 Win Foundry季报。
