在AUTOSAR架构中，BSW层有一个存储器相关的模块Memory Stack，如下图所示：
图1 Memory Stack 示意
NVM：NVRAM Manager
MEMIF：Memory Abstraction Interface
FEE：Flash EEPROM Emulation
EA：EEPROM Abstraction
FLS：Flash Driver
EEP：EEPROM Driver
NVM模块可以和以下模块进行交互：
图2 可以和NVM交互的模块
NVM模块上层是RTE，下层是对接Flash Driver或者EEPROM Driver的接口，笔者对这里的理解，NVM就是属于一个连接上层APP和底层的一个接口，应用层在执行一些和存储相关的服务如写EOL数据或者更新DTC的时候，会调用NVM里面的函数，而NVM又根据不同的需求，整合了分别调用Flash和EEPROM的接口。
NVM里面的数据读写有两种同步机制，分别是Implicit synchronization（隐式同步）和Explicit synchronization（显式同步）。
1.Implicit synchronization（隐式同步）
在隐式同步中，应用层和NVM可以同时访问公用的RAM，就是应用层在读写时调用NVM里面的接口。
图3 隐式同步示意
这种情况下，一块RAM最好只映射到一个SW-C，并且在读写操作进行中，这块RAM里的数据不能改变。
写操作步骤：
（1）应用层将数据写入RAM
（2）应用层调用NvM_WriteBlock()函数，开始进入NVM执行操作
（3）应用层通过轮询方式检查NVM写操作结果，NVM执行写操作之后，应用层才可以更新RAM中的内容
2.Explicit synchronization（显式同步）
在这种情况下，NVM定义一个RAM Mirror，与应用层中的RAM进行数据交换，APP将数据写进RAM并且调用NVM的接口，NVM将数据从应用层RAM拷贝到RAM Mirror。
图4 显式同步示意
这种机制的好处就是应用层可以更有效地利用RAM。
写操作步骤：
（1）APP将数据填充进RAM
（2）应用层调用NvM_WriteBlock()函数，开始进入NVM执行操作
（3）应用层RAM中的数据拷贝进NVM RAM Mirror中以后就可以随意修改RAM的数据了
其他的一些特性：
（1）基于CRC的对比
用CRC校验来对比数据有无变化，如果无变化可以选择跳过写操作的配置选项
（2）错误恢复
在读取错误的时候可以读回默认值，在写错误时会有重试机制。
（3）写操作确认
当数据写入NV Memory后，会与RAM里的数据进行对比，如果对比不一致会重新写入。
