FEE（Flash EEPROM Emulation），即Flash模拟EEPROM。为什么要用Flash模拟EEPROM？下面我们来看下两者之间的区别。
Non-volatile memory，非易失性存储器，就是断电后可以保存数据的存储器。我们知道Flash和EEPROM都属于这类存储器，可是它们两者之间还是有很多不同，主要有以下几个方面：
1.擦写方式不同
Flash：分为若干个Page，擦除的时候会整片擦除，写的时候必须该位为1才可以写进去，所以说，每次在Flash里修改数据的时候，要先擦除再写入。
EEPROM：写之前可以不需要擦除直接修改，可以修改单字节，读写速度较慢一点。
2.擦写次数
Flash较EEPROM较少。
3.从经济角度来看
很多芯片取消了EEPROM，用Flash模拟EEPROM来代替EEPROM以降低成本。
4.面向的需求不同
Flash：一般存储一些不容易改变的数据，如车辆的一些出厂数据（VIN码）等，因为这些数据不需要时常改变，所以存在Flash里就可以。
EEPROM：一般存储一些容易改变的数据，如故障诊断中的DTC，如果将其存在Flash里面就会不停地去擦写Flash，并且擦除面积较大，不利于操作。
在AUTOSAR架构中，FEE处于内存硬件抽象层（Memory Hardware Abstraction），如下图所示：
图1 FEE在AUTOSAR架构中的位置
Flash模拟EEPROM机制：
我们知道Flash是按页操作的，这种方式比较适合扇区比较大的Flash来用，假设我们的MCU的Data Flash有两个扇区，将两个扇区分别标记为逻辑扇区1（logical sector 1）和逻辑扇区2（logical sector 2）。假设我们要用Flash模拟EEPROM来存储DTC，我们都知道DTC是个很小的数据，但是更新可能会比较频繁，如下图：
图2 Flash模拟EEPROM示意图
首先，逻辑扇区1（logical sector 1）是空白的等待我们写入数据，属于工作片区（Actived）。
假设Flash一次性可以写8个字节，我们可以这样划分：前4个字节来存储DTC标识，后4个字节来存储具体DTC（这是一种假设，程序员可以自行设计存储长度等），每次DTC有更新我们就接着往没有被写到的空间更新数据，直到逻辑扇区1（logical sector 1）被写满，我们将最新的DTC数据复制进逻辑扇区2（logical sector 2）里面，然后擦除整片逻辑扇区1（logical sector 1），这时，逻辑扇区1（logical sector 1）状态变成（Not Actived）待工作片区，逻辑扇区2（logical sector 2）变成（Actived）工作片区，等逻辑扇区2（logical sector 2）写满再将最新数据复制到逻辑扇区1（logical sector 1），然后擦除逻辑扇区2（logical sector 2），这样来回反复。
大致工作流程是这样的，当然如果Flash片区比较多不限于将逻辑扇区分成2个。现在一些芯片厂商如ST在他们的一款车规级MCU SPC560系列上已经提供了Flash模拟EEPROM的接口，程序员只需知道这种机制，在SPC5Studio里配置好逻辑扇区，生成代码后直接使用就可以。
