采用InGaAsP体系，衬底采用InP。设计1mW光功率输出。
1）首先为1.35um的激光寻找合适的有源层组分。计数Eg：hv=>1.24/1.35um=Eg Eel Ehhl 0.0006(in eV)
Table I 和Table II 给出了能级值（In a dot of 50A） Eel=0.174；Ehhl=0.042eV 所以 Eg=<0.919-0.174-0.042-0.0006=0.7024eV
根据得到的Eg值，结合上图数值表，X轴以InP为边，Y轴以0.70eV为界形成的区域就是适合Eg取值区域。交点处B的组分为In0.53Ga0.47As。
Barrier composition阻挡层组分，阻挡层采用在有源层的基础上加0.5eV的带宽，即为C处的位置。
设计采用2or3层量子阱，中间采用InGaAsP作为阻挡层，厚度100Angstroms在两边。有源层的厚度就是
50*3 2*100inter-dot barrier 2*150 out-barriers = 650Angstrom=0.06um.
阻挡层的折射率应比量子阱层小0.01~0.005.
