给大脑“通上电”可以显著增强情景记忆能力

2020-11-25 10:17:35 浏览数 (1)

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给你的大脑通上电就可以提高你的记忆能力?这听起来似乎是不可能的。然而,大量的研究似乎已经证明了经颅直流电刺激(tDCS)这种无创的神经调控技术具有这种神奇的效果。比如,我们之前推送的一篇文章《经颅直流电刺激(tDCS)左侧额下皮质可促进口吃者的语言流利性》,研究者就发现tDCS可以改善口吃者的语言功能,增强其语言流利性。而tDCS增强被试工作记忆或情景记忆能力的研究也屡见不鲜。今天,小编以2015年发表于《Current Biology》杂志上的一篇文章为例,带大家了解一下,tDCS如何增强健康被试的情景记忆能力。

实验方法简述

实验设计如图1A、B所示,首先进行记忆编码任务(图1A),刺激选用韩语字符,要求被试判断字符的结构是左右还是上下;记忆编码任务完成后,经过24小时,进行记忆再认任务(图1B),参与者被要求决定他们是否在6分制范围内识别每个字符,1 =“绝对是新的”,6 =“绝对是旧的”。阳极tDCS的实验方案如图1C所示,刺激位置为左前侧前额叶皮层(left lateral prefrontal cortex,LPFC)。

图1图1

主要实验结果

1、阳极tDCS可以选择性的增强记忆能力。在记忆再认的实验中,打分4及以上的字符被认为是已经记住的字符,而打分3及以下的被认为是忘记的字符。记忆表现可以用命中率 (hit rate,Hits), 误报率(false alarms,FA), 和辨别率(discriminability,d’)来表征。如图1D所示,与假刺激相比,阳极tDCS可以显著提高被试的命中率(Hits)和辨别率(d’)。

2、与向被试呈现他们忘记的字符相比,在向被试呈现他们能够记住的字符可以引起更大的EEG时空神经模式相似性(Spatiotemporal Neural Pattern Similarity,STPS),换句话说,编码过程中脑电的STPS可以很好地预测了之后的记忆效果的好坏,如图2所示。关于STPS指标如何计算,请感兴趣朋友点击文末的“阅读原文”,下载原文进行查看。

图2 WI表示within-item STPS,BI表示between-item STPS,Rem表示remembered item,Forg表示forgotted item图2 WI表示within-item STPS,BI表示between-item STPS,Rem表示remembered item,Forg表示forgotted item

3、阳极tDCS可以显著增强特定于项目的STPS。具体结果如图3所示。

图3图3

总之,该项研究证明了更大的STPS是成功的记忆编码的基础,这从一定程度上揭示了记忆形成的神经机制。而STPS会受到前额叶的调控,LPFC的阳极tDCS可以显著增强STPS和记忆能力。该论文的研究结果再次证明了tDCS作为一项无创调控技术的神奇之处,但是这种无创调控技术目前大部分的研究还仅限于实验室,很期待未来更多的临床实验研究,也很期待未来能够尽快应用于临床,帮助精神和神经疾病病人实现认知功能的康复。

参考文献: Lu Y , Wang C , Chen C , et al. Spatiotemporal Neural Pattern Similarity Supports Episodic Memory[J]. Current Biology, 2015, 25(6):780-785.

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