一、MOS管
MOS晶体管是金属—氧化物—半导体场效应管，有三个极，分别是S极、G极、D极，即源极、栅极、漏极，为电压控制，也被称为场效应管FET（Field-effect-transistor）。
N沟道与P沟道的判别：
箭头指向G极的是N沟道增强型，箭头背向G极的是P沟道增强型。
二、场效应管特性
(1)、电压控制电流的元件。
(2)、只有一种载流子参与导电（所以称为单极型管），也正因如此，受温度的影响较低，热稳定性好。
(3)、只有一个回路参与导电，所有功耗相对较低（输入回路中栅极取很小的电流）
(4)、易于集成，最小可以制作到ns级别。
二、CMOS
CMOS是互补型金属氧化物半导体的缩写，为CMOS数字集成电路的基本单元，
CMOS相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远远大于输出阻抗，对应于LVTTL出现了LVCMOS，可以直接相互驱动：
当Vcc=3.3V时，输出电压：VOH>3.2V VOL<0.1V
输入电压：VIH>2.0V VIL<0.7V
当Vcc=2.5V时，输出电压：VOH>2.0V VOL<0.1V
输入电压：VIH>1.7V VIL<0.7V
在同样5V电源电压情况下，CMOS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电压大于2.0V，输出低电平小于0.8V
