2024年7月31日，存储芯片大厂美光科技宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD现已开始出货，成为首家达成这项里程碑的企业。
据介绍，美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界之冠，为数据读取及写入提供无可比拟的频宽。不论是在个人装置、边缘服务器，或是企业及云端数据中心，这颗NAND新品均可展现同级最佳性能，满足人工智慧及其他运用大量数据的使用情境。
美光G9 NAND善用业界最高NAND I/O速率，符合工作负载处理大量数据的高吞吐量需求，和市面上现已出货的其他NAND SSD产品相比，数据传输速率加快50%；与现有NAND竞品方案相较，美光G9 NAND的每芯粒写入带宽扩大达99%、读取带宽扩大达88%，从每颗芯粒就占尽优势，自然有助于SSD和嵌入式NAND解决方案的性能及功耗表现。
美光G9 NAND还延续了前代产品特色，采用11.5mm x 13.5mm封装，体积较竞品缩小28%，成为目前市场上体积最小的高密度NAND，由于密度提高、体积缩小，更能自由设计各种使用场景。
美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光G9 NAND正式出货，证明美光在制程技术与设计创新上的强大实力，相较于目前市面上的竞品，美光G9 NAND的密度提高73%，可建构体积更小、性能更高的储存方案，对消费者和企业均有益。”
美光执行副总裁Sumit Sadana强调：“美光已在连续三代产品中，均引领业界推出创新和顶尖的NAND技术。美光G9 NAND可为其整合产品提供显著优于竞品之表现，并可做为储存创新的基础，为各终端市场客户创造价值”。
美光G9 NAND在美光2650 SSD内发挥同级最佳表现
美光2650 NVMe SSD内置顶级G9 TLC NAND，在PCMark® 10测试[5]中超越竞品，为日常运算提供同级最佳使用者体验。
美光副总裁兼客户端储存事业部总经理Prasad Alluri指出：「即使PCIe Gen4市场理论上近乎饱和，美光2650 SSD采用最新G9 NAND技术，推进TLC客户端SSD的极限，这款硬盘产品在PCMark 10的测试标准中，表现比竞品高出38%，将重新定义同等级SSD的使用者体验」。
IDC固态硬盘及创新技术研究部门副总裁Jeff Janukowicz表示：“AI演进增加数据生成量，也因此需要更大储存空间，客户亦要求提升性能，以跟上AI发展速度。美光2650等SSD产品受惠于新一代NAND创新，将成为企业和个别消费者不可或缺的关键技术”。
美光2650 NVMe SSD提供领先同级产品的稳定度，主打有助性能的加速缓存，藉由Dynamic SLC Cache，进一步提高写入表现。美光2650 NVMe SSD为PCIe Gen4提供实际饱和性能，连续读取速率高达7,000 MB/s，相较于竞品，连续读取速率最高提升70%、连续写入速率最高提升103%、随机读取速率最高提升156%、随机写入速率最高提升85 %，这些优异数据突显美光决心突破技术极限，为客户缔造无与伦比的表现。
G9 NAND除了内置于美光2650 SSD提供给客户端OEM，亦可以零组件或嵌入消费者Crucial SSD形式供应给客户，更多相关资讯请见美光G9 NAND and美光2650客户端SSD页面。
编辑：芯智讯-林子
