前言
闪存有两种分类，NAND型闪存主要用于存储
写操作
■MOS的特性
给栅极高电平，就导通
给栅极低电平，就截止
在MOS管的基础上加入浮栅层和隧穿层就变成浮栅晶体管（存储一位数据的基本单位）
■浮栅晶体管写操作（逻辑0）
当给栅极施加较高的高电平（较高的高电平才能让电子穿过隧穿层），电子到浮栅层就被绝缘层阻碍了
当给栅极低电平时，这时隧穿层就相当于绝缘层，这样电子就被存储起来了，这时隧穿层有电子表示逻辑0
■浮栅晶体管写操作（逻辑1）
这时给衬底较高的高电平时，电子就会从隧穿层被吸引出来，这时隧穿层没电子表示逻辑1
■小结
根据浮栅层有无电子就可以判断两种状态
读操作
可以通过判断浮栅层当前有无电子，来读取当前的状态
■如何判断有无浮栅层电子？
现在给栅极低电平，电子就会被吸引形成沟道（因为低电平不能让隧穿层导通，所以等价于绝缘层）
因为形成了沟道，D极和S极就有电流了，在这回路中加一个电流表来检测是否有电流
如果浮栅层里有电子的话，由于同性相斥，即使给栅极通电，电子也不会被吸引上来形成沟道
既然没沟道的话，那就没有回路，就检测不到有电流
矩阵控制
NAND Flash闪存的读写单位是页，擦写单位是块
可以看出两个浮栅晶体管共用一个N沟道，连接的是同一块衬底（因为衬底都是同一块，所以以块为单位）
闪存剖视图
闪存3D图
■如何以块为单位来读写？
当要给某一个晶体管写入逻辑0时，给该行较高的高电平（比如20V），给该列低电平（不形成回路，也就不阻碍电子流向浮栅层）
当给某一个晶体管写入逻辑1时，还是给该行较高的电平（比如20V），给该列高电平（形成回路，阻碍电子流向浮栅层）
总结
浮栅晶体管是存储一位数据的基本单元
根据浮栅层有无电子可以区分两种状态
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