11月28日消息，根据市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告显示，为了更妥善且健全供应链管理，英伟达（NVIDIA）规划加入更多高频宽內存（HBM）供应商。
三大原厂预计2024年一季度完成HBM3e样品验证
资料显示，美光已于今年7月底向英伟达提供了8hi（8层）（24GB）的HBM3e样品；SK海力士也已于今年8月中提供了8hi（24GB）的HBM3e样品；三星则于今年10月初提供了8hi（24GB）的HBM3e样品。
由于HBM验证过程繁琐，预计耗时两个季度。TrendForce预期，最快在2023年底，部分厂商的HBM3e将取得验证结果，而上述三大原厂均预计于2024年第一季完成验证。不过，最新的消息显示，三星的HBM3（24GB）预期提早于今年12月在NVIDIA完成验证。
值得注意的是，各原厂的HBM3e验证结果，也将决定最终英伟达2024年在HBM供应商的采购权重分配，目前验证皆尚未完成，因此，英伟达的2024年HBM整体采购量仍有待观察。
展望2024年，观察目前各AI芯片供应商的开案进度，英伟达2023年的高阶AI芯片（采用HBM）的既有产品为A100／A800以及H100／H800；2024年则将把产品组合（Product Portfolio）更细致化的分类。
除了原上述型号之外，英伟达也规划推出使用6颗HBM3e的H200以及8颗HBM3e的B100，并同步整合英伟达自家基于Arm构架的CPU与GPU，推出GH200以及GB200。
至于AMD与Intel产品规划，AMD 2024年出货主流为MI300系列，采用HBM3，下一代MI350将采用HBM3e，预计2024下半年开始进行HBM验证，实际看到较明显的产品放量（Ramp Up）时间预估应为2025年第一季。
以Intel Habana来看，2022下半年推出的Gaudi 2采用6颗HBM2e，2024年中预期在新型号Gaudi 3持续采取HBM2e，但将用量升级至8颗。
因此，TrendForce认为，英伟达在HBM规格、产品准备度（Readiness）及时间轴上，可望持续以领先的GPU规格，在AI芯片竞局取得领先。
HBM4规划2026年推出
另外在HBM4的规划上，TrendForce指出，三大原厂的HBM4预计规划于2026年推出，包含英伟达以及其他CSP（云端业者）在未来的产品应用上，规格和性能将更优化。
受到规格更往高速发展带动，将首次看到高频宽內存（HBM）最底层的Logic die（又名Base die），采用12nm制程wafer，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品，需要结合晶圆代工厂与內存厂的合作。
随着客户对运算性能要求的提升，HBM4在堆叠的层数上，除了现有的12hi（12层）外，也将再往16hi（16层）发展，更高层数也预估带动新堆叠方式fybrid bonding的需求。
HBM4 12hi产品将于2026年推出，而16hi产品则预计于2027年问世。
TrendForce观察，针对HBM4，各买方也开始启动定制化要求，除了HBM可能不再仅是排列在SoC主芯片旁边，亦有部分讨论转向堆叠在SoC主芯片之上。
虽然目前所有选项仍在讨论可行性中，并尚未定案，但TrendForce认为，未来HBM产业将转为更客制化的角度发展，相比其他DRAM产品，在定价及设计上，更加摆脱通用型（Commodity）DRAM的框架，呈现特定化的生产。
编辑：芯智讯-林子
